Four tubulaire PECVD
Le four tubulaire PECVD est un système de four tubulaire de dépôt en phase gazeuse plasmatique, qui se compose d'une chambre de réaction en quartz, d'une alimentation radiofréquence, d'un système de mélange de gaz multicanal, d'une unité de vide et d'un système de contrôle de réaction. Le four utilise un matériau en fibre d'alumine de haute pureté et la surface est recouverte d'un revêtement d'alumine haute température importé pour prolonger la durée de vie de l'instrument et améliorer l'efficacité du chauffage. Un dispositif d'induction radiofréquence est installé devant le dépôt chimique en phase vapeur traditionnel pour ioniser le gaz de réaction et générer du plasma. La forte activité du plasma accélère la réaction. Il présente une bonne uniformité et répétabilité, peut former des films sur une grande surface, peut former des films à basses températures, présente une excellente couverture d'étapes, et est facile à contrôler la composition et l'épaisseur du film et facile à industrialiser. Il est largement utilisé dans la croissance de films minces tels que le graphène, le monoxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium et le silicium amorphe (A-SI : H).
| Taille du tube du four (MM) | Température de fonctionnement (°C) | Degré de vide | Puissance (KW) | Tension | Éléments chauffants | Taux de chauffage |
| Φ60*2200 | 1100°C | -0,1MPA 10PA 6,67*10-4PA | 3 | 220/380V | Fil de résistance | 1-20°C/MIN |
| Φ80*2200 | 3 | |||||
| Φ100*2200 | 4 | |||||
| Φ120*2200 | 5 |
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